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Lionel TROJMAN

Lionel TROJMAN

Directeur de la Recherche, Professeur, PhD-HDR

Lionel Trojman est né à Marseille, en France. Il a obtenu une licence en physique à la Faculté Saint-Charles, Université de Provence (Marseille), en 2002. En 2004, il a obtenu un master en physique appliquée à la micro- et nanoélectronique ainsi qu’un master en génie électrique (microélectronique et télécommunications) à l’École Polytechnique Universitaire de Marseille, Université de Provence.

En 2009, il a soutenu son doctorat en génie électrique à la KULeuven, en partenariat avec l’IMEC (Belgique). La même année, il est devenu professeur titulaire au département de génie électrique et électronique de l’USFQ, Équateur, où il a exercé jusqu’en 2019. Depuis, il est professeur à l’Isep (France).

Ses recherches portent sur le transport dans les MOSFET ultra-miniaturisés (jusqu’à 22 nm) utilisant des diélectriques high-k UTEOT avec des architectures conventionnelles et nouvelles (FDSOI) pour les technologies CMOS. Il travaille également sur les mémoires électroniques (ReRAM, MTJ) et sur les dispositifs de puissance en technologie GaN. Plus récemment, il s’investit dans la conception de circuits intégrés en nœuds technologiques 180, 90 et 32/28 nm, appliqués à l’Internet des objets (IoT).

01 49 54 52 72
lionel.trojman@isep.fr

Intérêts de la recherche :

> Micro- et nanoélectronique
> Physique de l’état solide
> IoT, SoC, SiP, circuits intégrés
> Dispositifs semi-conducteurs

Enseignement :

> Électronique numérique et analogique

Revue :

  • E. Garzón, R. De Rose, F. Crupi, L. Trojman, G. Finocchio, M. Carpentieri, M. Lanuzza, “Assessment of STT-MRAMs based on double-barrier MTJs for cache applications by means of a device-to-system level simulation framework”, VLSI Journal, Special issue of Integration, (2019) Volume 71, , Pages 56-69 March 2020
  • E. Acurio, L. Trojman, F. Crupi, B. DeJager, S. Decoutere, “Reliability Assessment of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes under ON-state stress”, IEEE, Transactions on Device and Materials Reliability, Vol. 20, N.1
  • E. Garzón, R. De Rose, F. Crupi, L. Trojman, M. Lanuzza, “Assessment of STT-MRAM performance at nanoscaled technology nodes using a device-to-memory simulation framework”, Microelectronic Engineering, Vol. 215, p. 111009, 2019
  • L. Trojman, L-A Ragnarsson, N. Collaert, “Mobility extraction for short channel UTBB-FDSOI MOSFETs under back bias using an accurate inversion charge density model”, Solid-State Electronic, Vol. 154, pp. 24-30, 2019
  • E. Acurio, F. Crupi, N. Ronchi, B. De Jaeger, B. Bakeroot, S. Decoutere and L. Trojman, “Influence of GaN- and Si3N4- passivation layers on the performance of AlGaN/GaN diodes with a gated edge termination”, IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 66, n. 2, pp. 883-889, 2019

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