Partenaires : LETI

Enseignants-chercheurs : Costin Anghel, Andrei Vladimirescu

Durée estimée du projet : 36 mois

Projet financé et lancé en : septembre 2010

L'explosion des applications multimédia (musique, vidéo, jeux...) demande des capacités de stockage de plus en plus importantes. En plus d'un fort besoin de densité d'intégration, ces applications mémoire doivent être rapides et consommer peu.

Pour répondre à cet enjeu économiquement stratégique, des nouvelles technologies sont actuellement à l'étude dans beaucoup d'industries de microélectronique, tel que Samsung, Panasonic, Fujitsu, HP. Principalement, les approches innovantes proposées sont basées sur l'utilisation de matériaux actifs présentant deux états de résistance distincts. Le passage d'un état à l'autre peut être contrôlé en courant ou bien en tension, donnant lieu à une caractéristique I-V hystérétique. L'intérêt premier de ces nouvelles technologies provient de leur fabrication dite « back end », où ces dispositifs mémorisant peuvent être réalisés lors des dernières étapes de fabrication des circuits. Grâce à leur intégration possible au dessus des transistors CMOS, ces technologies sont très avantageuses en termes de densité d'intégration.